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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关(g年轻人有必要吃鱼油吗，鱼油服用多久要停一停uān)键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的(de年轻人有必要吃鱼油吗，鱼油服用多久要停一停)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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