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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)施为什么读yi什么意思，施怎么读啊美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额施为什么读yi什么意思，施怎么读啊占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长施为什么读yi什么意思，施怎么读啊期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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