大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行(xíng)了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法周冬雨高考成绩是多少分，周冬雨高考分数是多少》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022周冬雨高考成绩是多少分，周冬雨高考分数是多少年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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