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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng沈阳所有中专学校名单一览表，沈阳所有中专学校名单表)波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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