大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司太原市长热线电话是多少号，太原市长热线电话号码查询产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波太原市长热线电话是多少号，太原市长热线电话号码查询龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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