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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键(jiànweather可数吗感叹句，a bad weather可数吗)信息(xī)基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披(pī)露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至weather可数吗感叹句，a bad weather可数吗1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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