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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国(g刘备文学是什么意思，刘备文学啥意思uó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)的(de)运(yùn)营刘备文学是什么意思，刘备文学啥意思者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签刘备文学是什么意思，刘备文学啥意思署了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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