大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shě赵丽颖一女战五男什么梗，赵丽颖叫玉镯是形容什么n)查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)赵丽颖一女战五男什么梗，赵丽颖叫玉镯是形容什么是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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