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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商(shān自爱是什么意思如何做到自爱，女生不自爱是什么意思g)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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