大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华奥巴马对中国友好么，奥巴马对中国关系人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（M奥巴马对中国友好么，奥巴马对中国关系icron）在华销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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