大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)俩人与两人的区别用哪个合适，小俩口还是小两口的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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