大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàn滴滴总部在北京哪个区，滴滴总部北京地址g)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降滴滴总部在北京哪个区，滴滴总部北京地址，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星(滴滴总部在北京哪个区，滴滴总部北京地址xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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