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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重乌蒙山在哪里属于哪个省，贵州乌蒙山在哪里(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进乌蒙山在哪里属于哪个省，贵州乌蒙山在哪里入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；202乌蒙山在哪里属于哪个省，贵州乌蒙山在哪里2年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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