大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安全作伴还是做伴哪个对，作伴还是做伴正确的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工作伴还是做伴哪个对，作伴还是做伴正确(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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