大家(jiā)好，来(lái)看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NA1h等于多长时间怎么算，1h等于多少时间ND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān1h等于多长时间怎么算，1h等于多少时间)键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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