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莫言的诺贝尔奖金是多少,莫言诺贝尔奖拿到多少钱

莫言的诺贝尔奖金是多少,莫言诺贝尔奖拿到多少钱 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

  美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查(chá)

  据(jù)网信莫言的诺贝尔奖金是多少,莫言诺贝尔奖拿到多少钱(xìn)办消(xiāo)息(xī),日(rì)前,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险,影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此,网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)莫言的诺贝尔奖金是多少,莫言诺贝尔奖拿到多少钱法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查,目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全,是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú),欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网(wǎng)发文称,为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全,防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险,维(wéi)护国家安全,依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美光(guāng)公司(sī)(Micron)在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一,2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

  美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降,至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性,巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势,公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

  有券商此前就(jiù)分析(xī),如果美光在中国区销售(shòu)受到限制,或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长莫言的诺贝尔奖金是多少,莫言诺贝尔奖拿到多少钱江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤,同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单,设备国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等(děng)收(shōu)入增长。

 

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