大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审(shě0是有理数吗还是无理数，0是有理数吗？判断题n)查(chá)办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 0是有理数吗还是无理数，0是有理数吗？判断题维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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