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无菌蛋是什么,无菌蛋是什么蛋 半导体突发!中国出手:停止采购!

 无菌蛋是什么,无菌蛋是什么蛋 大家好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息(xī),日前,网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

  审查发现,美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患,对(duì)我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī),我国内关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施(shī)安全,是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对(duì)外开放,只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日(rì),中国网信网(wǎng)发文(wén)称,为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全,防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》,网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》,对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(Micron)在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu),也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一(yī),2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中,江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降,至少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商,采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì),江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在(zài)下游市场的供应优势,公司也与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

  有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī),如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制,或将导致下游客户转(zhuǎn)无菌蛋是什么,无菌蛋是什么蛋而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露,薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为75%。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单(dān),设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升,以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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