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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，<50g是几两 50g是一两吗strong>我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的(d50g是几两 50g是一两吗e)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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