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　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 张姓与什么姓是世仇 全国张姓是一家吗维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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