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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审(s开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑hěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在(zài)下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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