大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)酒后想念一个人是真爱吗，为什么喝了酒会很想念一个人全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供酒后想念一个人是真爱吗，为什么喝了酒会很想念一个人应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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