大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎ过河的卒子歇后语是什么意思，过河卒子歇后语下一句ng)信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng过河的卒子歇后语是什么意思，过河卒子歇后语下一句)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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