大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高(gāo2022年非诚勿扰官网报名方式，相亲节目报名入口)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：太仓网站建设,太仓网络公司,太仓网站制作,太仓网页设计,网站推广-昆山云度信息科技有限公司 2022年非诚勿扰官网报名方式，相亲节目报名入口