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两只小兔子吸红肿了,两只头头被吸肿了

两只小兔子吸红肿了,两只头头被吸肿了 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一(yī)则(zé)突(tū)发消息(xī)。

  美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

  审查两只小兔子吸红肿了,两只头头被吸肿了(chá)发现(xiàn),美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn),对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规,我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

  此(cǐ)次对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查,目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全,是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放,只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú),欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中两只小兔子吸红肿了,两只头头被吸肿了国(guó)市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  3月31日(rì),中国网信网发文称,为保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全,防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险,维护国(guó)家安全,依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》,网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之(zhī)一,2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng),江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降,至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约,确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势,公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析,如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制,或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì),国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽,催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75%。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名(míng)单,设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积(jī))等相关(guān)公司份(fèn)额(é)提升,以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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