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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务c43排列组合公式怎么算，c43排列组合公式意义进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

c43排列组合公式怎么算，c43排列组合公式意义　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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