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岭南大学位置在哪里啊,岭南大学在哪个城市 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

  美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

  据网(wǎng)信办消(xiāo)息,日前,网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

  审查发(fā)现,美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规,我国内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查,目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全,是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放,只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng),为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全,防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险,维护(hù)国家安全,依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安全法》,网络安全审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu),也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存(cún))市场份(fèn)额(é)约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆供应商,采购约31亿(yì)元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大岭南大学位置在哪里啊,岭南大学在哪个城市和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(b岭南大学位置在哪里啊,岭南大学在哪个城市ō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示,江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约,确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性,巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应(yīng)优势,公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制,或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析(xī)称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75%。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单,设备国(guó)产(chǎn)化进程加速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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