大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应龙有几个爪 龙有两个根吗优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的龙有几个爪 龙有两个根吗(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(s龙有几个爪 龙有两个根吗hǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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