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中元节一般过几天,鬼节不能吃什么东西

中元节一般过几天,鬼节不能吃什么东西 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办消息(xī中元节一般过几天,鬼节不能吃什么东西),日前,网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网络安全审查(chá)。

  审(shěn)查发现,美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患,对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规,我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运营(yí中元节一般过几天,鬼节不能吃什么东西ng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查,目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全,是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放,只要遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全,防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险,维(wéi)护国家安全,依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》,网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出(chū)手:停止采购(gòu)!

  美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头,也(yě)是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一,2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

  美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

  公告(gào)显(xiǎn)示, 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng),采购中元节一般过几天,鬼节不能吃什么东西(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约,确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司在下游市场的(de)供应优势,公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī),如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制,或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

  分析称(chēng),长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75%。自长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限制名单(dān),设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速,看好拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等相关公司份(fèn)额提(tí)升,以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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