大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网(泡泡面膜泡泡越多越脏吗，冒泡面膜是不是泡越多脸越脏wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著(泡泡面膜泡泡越多越脏吗，冒泡面膜是不是泡越多脸越脏zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3泡泡面膜泡泡越多越脏吗，冒泡面膜是不是泡越多脸越脏D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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