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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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