大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全携手三十七年风雨兼程下一句是什么 三十年风雨兼程下一句，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产(chǎ携手三十七年风雨兼程下一句是什么 三十年风雨兼程下一句n)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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