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一般上大一是多少岁,大一是多少岁哪年的

一般上大一是多少岁,大一是多少岁哪年的 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

  美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

  据网信(xìn)办消息,日前(qián),网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn),对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险,影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此,网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规,我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

  此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审查,目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全,是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放,只要遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国(guó)出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  3月31日(rì),中国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供应链安全,防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险,维护国(guó)家安(ān)全,依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》,网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76%,三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

  美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng),至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng),采(cǎi)购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示,江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约,确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势,公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制,或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)

<一般上大一是多少岁,大一是多少岁哪年的p>  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo),催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù),薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单,设备国产化进程加速,看好拓荆(jīng)科技(jì)(薄膜沉积(jī))等(děng)相(xiāng)关公司份额提升,以及(jí)存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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