大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词备需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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