大(dà)家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.数学中e等于多少，高中数学中e等于多少35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供(gōng)应优势，数学中e等于多少，高中数学中e等于多少公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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