大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行(学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安(ān)全(quán)，依学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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