大家好，来(lái)看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三刽子手，刽子手念gui还是念kuai读音星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：太仓网站建设,太仓网络公司,太仓网站制作,太仓网页设计,网站推广-昆山云度信息科技有限公司 刽子手，刽子手念gui还是念kuai读音