大家好，来看一(yī)则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（I青岛农业大学专科在哪个校区，青岛农业大学专科在哪里？HS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙青岛农业大学专科在哪个校区，青岛农业大学专科在哪里？采购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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