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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì勾8是什么意思网络用语，勾8是什么意思？)全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合勾8是什么意思网络用语，勾8是什么意思？肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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