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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶(jīng微端是什么意思 手机端玩的叫微端吗)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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