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　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供(g黑豆可以补充孕酮吗，怀孕了千万别吃黑豆ōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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