大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)商业用电多少钱一度 商业用电跟住宅用电有什么区别法对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国商业用电多少钱一度 商业用电跟住宅用电有什么区别家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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