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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。硝酸锌化学式怎么写出来的，硝酸锌化学式子>存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。