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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)函数奇偶性加减乘除判定口诀，指数函数奇偶性的判断口诀存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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