大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)吴亦凡资产多少亿rong>

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）吴亦凡资产多少亿等收入增(zēng)长(zhǎng)。