大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(社日节是什么节日 社日节是农历几月初几wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在社日节是什么节日 社日节是农历几月初几存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性(社日节是什么节日 社日节是农历几月初几xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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