大家(jiā)好，来看一(yī)则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)陈万年教子文言文翻译注释和启示，文言文《陈万年教子》翻译公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳陈万年教子文言文翻译注释和启示，文言文《陈万年教子》翻译定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

未经允许不得转载：太仓网站建设,太仓网络公司,太仓网站制作,太仓网页设计,网站推广-昆山云度信息科技有限公司 陈万年教子文言文翻译注释和启示，文言文《陈万年教子》翻译