大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(hu对角线相等的四边形是什么四边形，对角线相等的平行四边形是什么á)销售产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm对角线相等的四边形是什么四边形，对角线相等的平行四边形是什么 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3对角线相等的四边形是什么四边形，对角线相等的平行四边形是什么D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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