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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份铜的化合价怎么判断+2和+1的区别，汞的化合价(fèn)额提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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