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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhō拐点和驻点的区别是什么意思，拐点和驻点的关系ng)国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　拐点和驻点的区别是什么意思，拐点和驻点的关系目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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